開關(guan)(guan)電(dian)源(yuan)作為運用于開關(guan)(guan)狀況的(de)能量轉化設備，開關(guan)(guan)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)壓、電(dian)流改變率很高，所以產生的(de)干(gan)擾強(qiang)度也比較大。
干(gan)(gan)擾(rao)源(yuan)主(zhu)要(yao)會(hui)集在功率開關期間以及(ji)與之相連的(de)散熱器(qi)和(he)(he)高(gao)平變壓器(qi)，相關于數(shu)(shu)字(zi)電路干(gan)(gan)擾(rao)源(yuan)的(de)方(fang)位較為清楚。開關頻(pin)率不(bu)高(gao)（從幾十千赫(he)和(he)(he)數(shu)(shu)兆赫(he)茲(zi)），主(zhu)要(yao)的(de)干(gan)(gan)擾(rao)形式是傳導(dao)干(gan)(gan)擾(rao)和(he)(he)近(jin)場(chang)干(gan)(gan)擾(rao)。而印刷線(xian)路板（PCB）走線(xian)通(tong)常選(xuan)用手工(gong)布線(xian)，具有**的(de)隨意性(xing)，這增加了 PCB 散布參數(shu)(shu)的(de)提取和(he)(he)近(jin)場(chang) 干(gan)(gan)擾(rao)估(gu)量的(de)難度。
1MHZ 以(yi)內：以(yi)差(cha)模干(gan)擾為主，增大 X 電(dian)容就可處理；
1MHZ—5MHZ：差(cha)模共模混(hun)合，選用(yong)輸(shu)入端(duan)并(bing)一系列X電容(rong)來(lai)濾除差(cha)摸干(gan)(gan)擾并(bing)分析出是哪種(zhong)干(gan)(gan)擾超支并(bing)處理;
5M：以(yi)(yi)上以(yi)(yi)共(gong)摸干(gan)擾為(wei)主(zhu)，選用(yong)抑制共(gong)摸的辦法。關(guan)于外殼接地(di)的，在地(di)線(xian)上用(yong)一個磁盤繞2圈會對(dui)10MHZ以(yi)(yi)上干(gan)擾有較大的衰減（diudiu2006）;
關(guan)于25--30MHZ不過能夠選用加大對地(di)Y電容、在變(bian)壓器(qi)外面(mian)包(bao)銅皮、改(gai)變(bian)PCBLAYOUT、輸出線(xian)前面(mian)接一個雙(shuang)線(xian)并(bing)繞的小磁環，最(zui)少繞10圈、在輸出整流管(guan)兩頭并(bing) RC 濾波器(qi)。
30—50MHZ：遍(bian)及(ji)是 MOS 管高(gao)速注冊關斷引起，能夠用(yong)增大MOS驅動電(dian)阻，RCD緩沖電(dian)路選用(yong) 1N4007慢(man)管，VCC供電(dian)電(dian)壓用(yong) 1N4007慢(man)管來處(chu)理。
100—200MHZ：遍及是輸出(chu)整(zheng)流(liu)(liu)管反(fan)向(xiang)恢(hui)復電流(liu)(liu)引起，能夠在整(zheng)流(liu)(liu)管上串磁珠
100MHz—200MHz：之間(jian)大部分出于 PFCMOSFET及PFC二極管，現在MOSFET及PFC二極管串(chuan)磁珠有作用(yong)，水平(ping)方(fang)向(xiang)基本能夠處理問題，但(dan)筆直(zhi)方(fang)向(xiang)就沒辦法了。
開關電源(yuan)的輻射(she)一般只會影響到 100M 以下(xia)的頻段。也能夠在(zai) MOS，二(er)極管上加相應(ying)吸收回路，但效率(lv)會有所(suo)下(xia)降。
設計(ji)開(kai)關(guan)電(dian)源時防止(zhi) EMI 的措(cuo)施
1.把噪音電(dian)路節(jie)點的 PCB 銅(tong)箔面積**極限(xian)地減(jian)小;如開關管的漏(lou)極、集(ji)電(dian)極，初次級(ji)繞組的節(jie)點，等。
2.使輸入和輸出端遠(yuan)離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開關管的(de)散熱片，等等。
3.使(shi)噪(zao)音元(yuan)件(jian)（如未遮蓋(gai)(gai)的(de)變壓器線包，未遮蓋(gai)(gai)的(de)變壓器磁芯，和開(kai)關管，等等）遠離外殼邊(bian)際，因為在正常操作下外殼邊(bian)際很可能靠近外面的(de)接地線。
4.如果變壓(ya)(ya)器沒有(you)運用電場屏(ping)蔽，要(yao)堅持屏(ping)蔽體(ti)和散熱(re)片遠(yuan)離變壓(ya)(ya)器。
5.盡量減小以下電(dian)流(liu)環的面積：次級（輸(shu)出）整流(liu)器(qi)，初級開(kai)關功率器(qi)材，柵極(ji)（基(ji)極(ji)）驅(qu)動線(xian)路，輔佐整流(liu)器(qi)。
6.不(bu)要將門極（基極）的驅動返饋環路和(he)初級開關電(dian)路或輔佐整流電(dian)路混在一同。
7.調整(zheng)優化阻尼電阻值，使它在開關的死區(qu)時(shi)間(jian)里(li)不(bu)產生振鈴響(xiang)聲(sheng)。
8.防(fang)止(zhi) EMI 濾波電(dian)感飽滿(man)。
9.使拐彎節點和次級電路的(de)元(yuan)件遠離初級電路的(de)屏蔽體或許開關管的(de)散熱片。
10.堅持初級(ji)電路的(de)擺動的(de)節點和元(yuan)件本體遠(yuan)離屏蔽(bi)或許散熱(re)片。
11.使高(gao)頻輸(shu)入的(de) EMI 濾波(bo)器靠(kao)近輸(shu)入電(dian)纜或許連接器端(duan)。
12.堅(jian)持高頻輸出(chu)的 EMI 濾波器靠近(jin)輸出(chu)電線端子。
13.使 EMI 濾波器對面(mian)的(de) PCB 板的(de)銅(tong)箔和元件本體之(zhi)間堅(jian)持(chi)一定(ding)距離。
14.在(zai)輔(fu)佐線圈的(de)整流器的(de)線路上放一(yi)些電阻(zu)。
15.在磁棒線圈(quan)上并聯(lian)阻尼電阻。
16.在輸出 RF 濾波器兩頭并(bing)聯(lian)阻(zu)尼電(dian)阻(zu)。
17.在(zai) PCB 設(she)計(ji)時答應放 1nF/500V 陶瓷電(dian)容器或許還能夠是一(yi)串電(dian)阻，跨(kua)接在(zai)變壓器的(de)初(chu)級(ji)的(de)靜端和輔佐繞組之間。
18.堅持 EMI 濾(lv)波器(qi)遠離(li)功率變壓器(qi);尤其是(shi)防(fang)止定位在(zai)繞包的端部。
19.在 PCB 面積滿足的情況下，可在 PCB 上留下放屏蔽繞組用的腳位(wei)和放 RC 阻(zu)尼(ni)器(qi)(qi)的方(fang)位(wei)，RC 阻(zu)尼(ni)器(qi)(qi)可跨接在屏蔽繞組兩頭。
20.空間(jian)答(da)應的(de)話在開關功率場效應管(guan)的(de)漏極和門極之間(jian)放一個小徑向引線電(dian)容(rong)器（米勒電(dian)容(rong)，10 皮(pi)法/1 千伏電(dian)容(rong)）。
21.空間(jian)答應(ying)的話放(fang)一個(ge)小的 RC 阻尼器在直流輸出端。
22.不要(yao)把 AC 插座(zuo)與初(chu)級(ji)開關(guan)管的(de)散熱片靠在(zai)一同。
